碳化硅供应-盛达合金材料(在线咨询)-天津碳化硅

碳化硅性质稳定，结构类似金刚石，天津碳化硅，是原子晶体。

一氧化硅不太稳定，容易歧化生成硅和二氧化硅。

这二者与强碱反应，一氧化硅要快。但也不是很剧烈。而碳化硅由于是原子晶体，常温下很稳定，基本不与强碱反应。

碳化硅性质稳定，结构类似金刚石，是原子晶体。

一氧化硅不太稳定，容易歧化生成硅和二氧化硅。

这二者与强碱反应，一氧化硅要快。但也不是很剧烈。而碳化硅由于是原子晶体，常温下很稳定，基本不与强碱反应。

2.单晶衬底

单晶衬底是半导体的支撑材料、导电材料和外延生长基片。生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长，碳化硅供应，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，碳化硅厂家，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。目前，SiC单晶生长方法有物理气相传输法(PVT法)、液相法(LPE法)、高温化学气相沉积法(HTCVD法)等。

3.外延片

碳化硅外延片，碳化硅批发，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜(外延层)的碳化硅片。目前，碳化硅单晶衬底上的SiC薄膜制备主要有化学气相淀积法（CVD）、液相法（LPE）、升华法、溅射法、MBE法等多种方法。

绿碳化硅是以石油焦和硅石为主要原料，添加作为添加剂，通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉。

目数与米对照表：

1微米≈12500目

1.3微米≈8000目

2微米≈6250目

2.6微米≈5000目

5微米≈2500目

6.5微米≈2000目

10微米≈1250目

15微米≈800目

20微米≈625目

33微米≈425目

37微米≈400目

44微米≈325目

74微米≈200目

149微米≈100目

350微米≈45目