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碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级，仅次于硬的金刚石（10级），具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能化。碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为常见的一种同质异晶物，在高于2000 °C高温下形成，具有六角晶系结晶构造（似纤维锌矿）。β-碳化硅，立方晶系结构，与钻石相似，则在低于2000 °C生成，结构如页面附图所示。

碳化硅厂家生产的碳化硅为什么是第三代半导体重要的材料呢？

一、碳化硅器件的优势特性

碳化硅（SiC）是目前发展成熟的宽禁带半导体材料，对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。

二、与普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：

1、高压特性

碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍，碳化硅肖特基管耐压可达2400V。碳化硅场效应管耐压可达数万伏，且通态电阻并不很大。

2、高频特性

3、高温特性

  碳化硅可用做炼钢的脱氧剂和铸铁组织的改良剂，碳化硅可用做制造的原料，碳化硅是硅树脂工业的主要原料。碳化硅脱氧剂是一种新型的强复合脱氧剂，碳化硅取代了传统的硅粉碳粉进行脱氧，碳化硅和原工艺相比各项理化性能更加稳定，脱氧效果好，碳化硅使脱氧时间缩短，节约能源，提高炼钢效率，提高钢的质量，碳化硅还能降低原辅材料消耗，减少环境污染，改善劳动条件，碳化硅对提高电炉的综合经济效益都具有重要价值。